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    薄膜生長是一個隨機過程，利用Monte Carlo算法模擬薄膜的生長過程是研究其生長機理的有效途徑。目前，Monte Carlo法模擬薄膜生長主要有3種算法:

    1)指定事件的Kinetic Monte Carlo(KMC)
    這種方法指定幾類可能會發生的事件，但不允許其他類型的事件發生。例如規定允許被吸附的原子可以在某個晶面內或沿邊緣遷移，不允許其他類型的事件，如跨晶面或跨邊界遷移。這種方法的優點是可以準確地知道發生的事件及其概率;缺點是有可能忽略某些重要類型的事件，造成模擬結果不準確。